政府背景的武汉闪存芯片工厂下周动工 分析人士认为前景可疑

【博闻社】中国自己的首家闪存芯片工厂武汉新芯集成电路制造有限公司将于下周一动工。武汉新芯去年与美国的Spansion合作共同研发下一代芯片技术。

武汉新芯的工厂将生产闪存和动DRAM芯片。华尔街日报说，该厂资金主要来自中国国家半导体基金和湖北省政府。

中国在2014年成立资金规模超过千亿的国家半导体基金，在半导体行业的中国国企大额收购行动中都有它的身影。

报道说，武汉新芯的投资额高达240亿美元，分三个阶段：第一家工厂专注NAND闪存生产，第二家工厂专注DRAM芯片生产，第三个阶段的设施将专为供应商服务。

虽然武汉新芯的最新项目得到了中央政府的支持，但许多分析人士对这家知名度较低的芯片生产商的前景表示怀疑。

Bernstein Research分析师纽曼(Mark Newman)称，他对武汉新芯的转型并不看好。他说，该公司在存储芯片方面的技术十分有限，较同行业的其他企业落后了数年。

武汉新芯打算生产名为“3D NAND”的下一代闪存芯片。